Модификаторы типов | Программирование на C и C++
Главная » Язык С » Переменные, константы, операторы и выражения » Типы данных
За исключением типа void, основные типы данных могут иметь различные модификаторы. Модификаторы используются для более точного управления ситуацией. Ниже приведен список модификаторов:
signed
unsigned
short
Модификаторы signed, unsigned, long и short могут применяться к целочисленным типам. К символам можно применять signed и unsigned, long может применяться к типу double. Таблица показывает все допустимые комбинации стандарта ANSI С для 16-битных типов данных вместе с размером типа в битах и границами применения в Borland С++.
Тип | Длина в битах | Диапазон |
---|---|---|
char | 8 | от-128 до 127 |
unsigned char | 8 | от 0 до 255 |
signed char | 8 | от-128 до 127 |
int | 16 | от-32768 до 32767 |
unsigned int | 16 | от 0 до 65535 |
signed int | 16 | от -32768 до 32767 |
short int | 16 | от -32768 до 32767 |
unsigned short int | 16 | от 0 до 65535 |
signed short int | 16 | от -32768 до 32767 |
long int | 32 | от -2147483648 до 2147483647 |
unsigned long int | 32 | от 0 до 4294967295 |
signed long int. | 32 | от -2147483648 до 2147483647 |
float | 32 | от 3.4е-38 до 3.4е+38 |
double | 64 | от 1.7е-308 до 1.7e+308 |
long double | 80 | от 3.4е-4932 до 1.1e+4932 |
Таблица содержит информацию о 32-битных типах данных.
Тип | Длина в битах | Диапазон от-128 до 127 |
---|---|---|
char | 8 | от 128 до 127 |
unsigned char | 8 | от 0 до 255 |
signed char | 8 | от -128 до 127 |
int | 32 | от -2147483648 до 2147483647 |
unsigned int | от 0 до 4294967295 | |
signed int | 32 | от -2147483648 до 2147483647 |
short int | 16 | от -32768 до 32767 |
unsigned short int | 16 | от 0 до 65535 |
signed short int | 16 | от -32768 до 32767 |
long int | 32 | от -2147483648 до 2147483647 |
unsigned long int | 32 | от 0 до 4294967295 |
signed long int | 32 | от -2147483648 до 2147483647 |
float | 32 | от 3. 4e-38 до 3.4е+38 |
double | 64 | от 1.7е-308 до 1.7е+308 |
long double | 80 | от 3.4е-4932 до 1.1e+4932 |
Использование signed для целочисленных типов является избыточным (но допустимым), поскольку объявление целочисленных типов по умолчанию предполагает знаковое число.
Различие между знаковыми и беззнаковыми целочисленными типами заключается в способе интерпретации старшего бита. Если используется знаковый тип, то компилятор генерирует код, предполагающий, что старший бит используется как знак числа. Если знаковый бит равен 0, то число положительное, а если 1 — отрицательное. Ниже приведены простые примеры:
Следует предупредить, что фактически все компьютеры используют дополнительную арифметику, что приводит к представлению —127 в виде, слегка отличном от вышеприведенного примера. Тем не менее, использование знакового бита является однотипным. У отрицательного числа в дополнительном виде все биты инвертированы, и к числу добавляется 1. Например, —127 в дополнительном виде выглядит следующим образом:
1111111110000001
Знаковые числа важны для многих алгоритмов, но они могут вмещать только половину значений, которые могут содержать их беззнаковые «братья». Например, 32767 выглядит следующим образом:
01111111 11111111
Если старший бит установлен в 1, то число будет интерпретироваться как —1. Тем не менее, если объявить его как unsigned int, то, если старший бит установлен, число будет содержать 65535.
‹ Типы данных Вверх Модификаторы доступа ›
Как сохранить какой-то» null » в переменной c++ double или int?
у меня есть класс, который выглядит так
struct A { double a1; int b1; double a2; int b2; };
я должен прочитать значения файла для a1
, b1
, a2
и b2
. Большую часть времени все четыре числа находятся в файле, но иногда есть только два числа.
когда есть два числа, я хочу сохранить значения в a1
и b1
и я хочу сохранить «ничего» в a2
и b2
. Если a2
и b2
были указатели, я мог бы просто назначить их nullptr
, но они не указатели.
есть ли что-то, что я могу хранить в double
int
переменные, указывающие, что «ничего» не хранится?
Я знаю Boost.Optional
доступно, но я пытаюсь избежать этой библиотеки.
вы можете назначить NAN двойному a2, что также указывает на недопустимость int b2.
на этой странице для использования NAN.
8
поделиться
автор: jonas25007
либо у вас есть значение, которое не является законным, либо нет. Если у вас есть значение, которое не является законным (например, -1), используйте его в качестве часового.
4
поделиться
автор: David Schwartz
нельзя. Я могу придумать два альтернативных способа:—1—>
- использовать int *; или
- используйте значение, которое наверняка недопустимо в вашем контексте. Например, если он никогда не может быть отрицательным, используйте -1 для указания null. Но я все же предпочитаю первый способ, так как его правильность не зависит от требования или контекста.
3
поделиться
автор: Peter Pei Guo
похоже, у вас будут проблемы дальше по дороге. Необходимость знать, сколько значений допустимо, будет разбрызгиваться по базе кода.
Я предлагаю завод и базовый класс. По сути, у вас будет как минимум два класса:
struct two_values { double a1; int b1; }; struct four_values : public two_values { double a2; int b2; };
когда функция явно требует четыре значения, используйте four_values
структура в декларации. В противном случае используйте two_values
структура в объявлении функции.
в этом отношении говорится, что a
экземпляр можно использовать в любой функции, требующей two_values
структура.
альтернатива
Альтернативой является использование std::vector
для вашего пользования:
struct Container { std::vector<double> a_values; std::vector<int> b_values; };
преимущество с этой конструкцией что векторы могут сказать вам сколько деталей там и принципиальная схема расширяема, в случае если вам нужны 6 деталей.
2
поделиться
автор: Thomas Matthews
- вы можете выбрать значение, которое не может быть в текстовых файлах (недопустимое значение), например
,-1
,std::numeric_limits<int>::max()
. При обработке данных используйте значение, только если оно не равно незаконному значению (или sentinel). включить bool, указывающий, сколько значений есть:
struct A { double a1; int b1; double a2; int b2; bool has_4_nums; };
использовать указатель (
int*
илиstd::unique_ptr<int>
согласно @Peter Pei Guo), и назначитьnullptr
, когда они отсутствуют.
1
поделиться
автор: matsjoyce
у вас есть два варианта, чтобы избежать boost::optional
и, следовательно, зависимость с Boost:
используйте компилятор
std::experimental::optional
, который доступен из GCC 4.9+ (и Clang в последних версиях IIRC) с-std=c++14
.используйте «эталонную реализацию» от Анджея Кшемежского для
std::experimental::optional
С GitHub. Это только заголовок, поэтому вы можете просто скопировать заголовок в свой проект (конечно, обращая внимание на лицензия)
0
поделиться
автор: Daniel Frey
кроме того, вы можете добавить дополнительный член, чтобы узнать, были ли затронуты обычные члены, что-то вроде:
struct A { double a1; int b1; double a2; int b2; bool is_assigned[4]; };
или
struct A { double a1; int b1; double a2; int b2; double* p_a1; // point to a1 when initialized, else nullptr int* p_b1; // point to b1 when initialized, else nullptr double* p_a2; // point to a2 when initialized, else nullptr int* p_b1; // point to b2 when initialized, else nullptr };
0
поделиться
автор: Jarod42
struct A { double a1; int b1; double a2; int b2; };
для этого вы можете просто использовать любой тип переменной, чтобы указать, назначены ли две или четыре значения этой переменной.
Как взять переменную name assigned = -1
поэтому, если ваше входное значение положительное, то если два значения находятся внутри файла, просто сделайте
А2 = Б2 = assigend
поэтому, когда вы проверяете, просто проверьте, является ли значение a2 и b2 -1 или что-то еще,
0
поделиться
автор: Robin Halder
Преобразование типов в Си
Определение 1
Преобразование типов в Си — это преобразование любого типа данных в любой другой тип. При таком преобразовании не имеет значения безопасность этой процедуры.
Введение
Если требуется поменять тип данных на иной, например, больший по размеру, то возможно использовать для этой цели неявный метод преобразования. Некоторые неопытные программисты иногда применяют такой вариант: float x = 11 / 3;. Но поскольку и одиннадцать и три, это целочисленные величины, то никакие преобразования типов чисел выполняться не будет. Будет выполнена операция деления без остатка одиннадцать на три, что даст в итоге три. Тройка пройдёт преобразование в вид 3.0 и это значение получит переменная х. То есть, если применяются числовые символы (например, одиннадцать или три), то подмена первого или пары целых чисел на значения с плавающей точкой (11.0 или 3.0) ведёт к преобразованию их в значении вида с плавающей точкой и выполнению деления типа с плавающей точкой. Оптимально в таком случае использовать переменные.
К примеру, так:
1 int i1 = 11;
2 int i2 = 3;
3 float x = i1 / i2;
Переменная х примет в итоге значение три. Чтобы программа компиляции понимала, что программисту надо заменить деление целых чисел без остатка на деление типа с плавающей точкой, следует применять какой-либо оператор, преобразующий типы данных в явной форме.
Явное преобразование типов
В программном языке С++ имеется следующие типы операторов casts, выполняющих в явной форме изменение типов данных:
C-stylet;
static;
const;
C-style cast.
В программах на языке С изменение в явной форме типа данных осуществляется посредством специального обозначения (). Внутрь скобок заносится тип, в который необходимо преобразовать данные. Такой способ перемены типа данных носит название C-style cast. Применять можно, например, так:
1 int i1 = 11;
2 int i2 = 3;
3 float x = (float)i1 / i2;
В этом примере содержимое внутри скобок сообщает программе компиляции, что надо выполнить изменение переменной i1 (типа int) в тип float. Так как i1 теперь имеет тип float, то i2 тоже будет автоматом преобразовано в такой же тип, и операция деления уже будет выполнена для типа данных с плавающей точкой. Следует заметить, не стоит применять данный оператор для изменения данных типов const, так как это может привести к ошибкам.
Оператор static_cast
Этот оператор может применяться для конвертирования переменной типа char в тип int, при этом выводится целое число, а не символ:
Рисунок 1. Код. Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
Этот оператор оптимально применять для преобразования фундаментальных типов(один в другой):
1 int i1 = 11;
2 int i2 = 3;
3 float x = static_cast (i1) / i2;
Главным достоинством static_cast может считаться наличие проверки программой компиляции на ошибки, что предотвращает появление непредсказуемых проблем. Кроме того, оператор static_cast обладает меньшим влиянием, чем оператор C-style cast. Это исключает возможность случайного изменения типа const и другие бессмысленные операции.
Использование операторов явного преобразования в неявном преобразовании
При использовании потенциально опасных неявных преобразований типов данных, программа компиляции может выдавать предупреждения. К примеру, такие:
1 int i = 49;
2 char ch = i; // неявное преобразование
Преобразование переменной типа int (4 байта) в тип char (1 байт) несёт потенциальную опасность, и компилятор об этом предупредит. Чтобы компилятор понял, что программист понимает потенциальную опасность операции, но её надо всё равно выполнить, следует применять оператор static_cast:
Рисунок 2. Код. Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
В примере ниже, программа компиляции может выдать сообщение, что преобразование из double в int способно спровоцировать потерю данных:
1 int i = 90;
2 i = i / 3.6;
Для сообщения компилятору о сознательном намерении выполнить операцию, следует записать такие команды:
Рисунок 3. Код. Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
Не следует использовать без крайней необходимости конвертацию типов данных. Почти всегда при выполнении этих преобразований существует вероятность появления различных проблем. Но если это всё-таки необходимо сделать, лучше применять static_cast вместо C-style cast.
Конвертирование типов в арифметических операциях
При использовании в арифметических операциях разных типы значений, программа компиляции будет пытаться в неявной форме преобразовать их в один тип. А так же, если программа задаёт переменной конкретное значение, оно всегда должно быть приведено к типу, присущему этой переменной. К примеру, так:
1 char c = 6;
2 int d = c;
Переменная d, представляющая тип int, получает значение типа char. По этой причине компилятор приведёт её значение от типа char к типу int. Как отмечалось выше, такие преобразования могут нести потенциальную опасность, так как различные типы обладают различным внутренним представлением. И без потерь данных изменение типа представления не всегда можно осуществить. Программа компиляции при арифметических операциях делает следующие преобразования:
- Когда одна из переменных обладает типом long double, то и вторая переменная должна быть приведена к этому типу.
- Когда пункт один не исполнен и одна из переменных обладает типом double, то вторая переменная так же должна быть приведена к типу double.
- Если не удалось выполнить пункт выше, и какая-либо переменная обладает типом long, то вторая переменная так же преобразуется в тип long.
- Если снова не произошло выполнение предыдущего пункта и одна из переменных является типа unsigned, то другая переменная так же преобразуется в тип unsigned.
- Когда не выполнен предыдущий пункт, обе переменные преобразуются к типу int.
Приведём пример:
1 int a = 10;
2 double b = 4;
3 double c = a + b; // 14.000000
В формуле a + b переменная b имеет тип double, по этой причине переменная a так же в автомате преобразуется к типу double. Итог арифметической операции сложения также станет типа double.
Двусторонне полированные (DSP) кремниевые пластины
Двусторонне полированные (DSP) кремниевые пластиныориентации и сопротивлений. У нас есть варианты общей толщины до 1 микрона TTV на складе.
Для повышения плоскостности кремниевой пластины необходимо полировать обратную сторону пластины. Двусторонняя полировка помогает уменьшить шероховатость поверхности кремниевых пластин. Это обязательное условие при создании МЭМС-устройств, где требуются сверхплоские характеристики и низкая шероховатость.
Получите предложение БЫСТРО!
Ваше имя:Компания:
Ваш адрес электронной почты:
Ваше сообщение:
Геттерные и двусторонне полированные кремниевые пластины
Интересно отметить, что боросиликатное (BSG) и фосфосиликатное (PSG) стекло при контакте с нагретым кремнием очень хорошо удаляют глубокие загрязнения кремниевой пластины.
Двусторонняя полировка обязательна для ультратонких кремниевых пластин .
Мы можем производить односторонне полированные кремниевые пластины толщиной до 50 микрон с плотным TTV, но более тонкие пластины требуют более дорогой полировки обратной стороны, чтобы пластины не деформировались.
Используйте кремниевые пластины с двусторонней полировкой, если вам нужны более жесткие допуски TTV, BOW и WARP.
Преимущества двухсторонних полированных кремниевых пластин
Оптическая когерентная томография (ОКТ) является одним из наиболее важных инструментов, используемых для производства полупроводниковых компонентов. Его точные измерения толщины позволяют производить высококачественные кремниевые пластины. Система идеально подходит для изготовления кремниевых устройств , таких как высокочастотные интегральные схемы. Он также помогает улучшить производственный процесс и эффективен для широкого спектра промышленных применений.
Наиболее важной характеристикой двусторонней полированной кремниевой пластины является ее улучшенная производительность. Его зеркальное покрытие устраняет микрошероховатости и повреждения на поверхности, что повышает эффективность и снижает риск загрязнения. Процесс включает в себя несколько этапов, которые помогают обеспечить высокое качество и стабильную отделку. В этой статье будут описаны преимущества двусторонней полировки и ее преимущества для вашего бизнеса. Это экономичный вариант для полупроводников.
Основным преимуществом кремниевых пластин с двусторонней полировкой является их превосходная производительность. Обе стороны пластины отполированы до зеркального блеска. В результате загрязнение поверхности значительно снижается. Этот процесс также эффективен для снижения риска захвата частиц, что приводит к снижению производительности и неэффективности. Процесс полировки также делает кремниевую пластину тоньше, чем обычная, что приводит к методу производства из одного слитка.
Двухсторонние полированные кремниевые пластины предпочтительнее односторонних полированных кремниевых пластин. Их гладкая зеркальная поверхность обеспечивает наилучшее качество поверхности для высокоточных применений. Кроме того, эти продукты дороже, чем двусторонне полированные кремниевые пластины, но не влияют на качество готовой продукции. Они также доступны в меньших количествах, чем двухсторонние полированные пластины. Эти двусторонние кремниевые пластины более долговечны и могут использоваться в промышленном производстве полупроводников.
Двухсторонняя полированная кремниевая пластина имеет более высокие характеристики, чем обычные кремниевые пластины. Его зеркальное покрытие снижает степень загрязнения поверхности, что является основной причиной низкой производительности и неэффективности производства полупроводников. Этот продукт более эффективен и экономичен, чем обычный силикон или двустороннее стекло. Кроме того, он тоньше обычного кремния и может быть изготовлен в виде одного слитка.
Двусторонняя полированная кремниевая пластина является наиболее широко используемым типом полупроводников. Процесс имеет ряд преимуществ. Это эффективный способ уменьшить загрязнение поверхности и повысить производительность. Кроме того, он предлагает высокий уровень прозрачности. Это также увеличивает плоскостность поверхности. Это также экономичный метод обработки полупроводников. Он очень настраиваемый и гибкий. Экономически эффективный способ создания индивидуально разработанной кремниевой пластины.
Кремниевые пластины с двусторонней полировкой обладают значительными преимуществами. Этот процесс улучшает локальную плоскостность полупроводника. Также дает высокие урожаи. Полученные полупроводники обладают отличной плоскостностью и более высоким уровнем эффективности. Эти процессы являются дорогостоящими, но они очень эффективны. Например, односторонняя полированная кремниевая пластина является хорошим кандидатом на многостороннюю двустороннюю кремниевую пластину.
Кремниевые пластины с двусторонней полировкой превосходят однонаправленную полировку. Они обладают лучшей устойчивостью к поверхностным загрязнениям. Двухсторонняя полированная кремниевая пластина имеет зеркальное покрытие. Его зеркальное покрытие идеально подходит для различных применений. Этот процесс также снижает ущерб. В дополнение к улучшению характеристик полупроводников полученные двухсторонние полированные кремниевые пластины также менее дороги.
В дополнение к этим преимуществам двусторонне полированные кремниевые пластины также обеспечивают улучшенные электрические свойства. Процесс двусторонней полировки очень выгоден для полупроводниковых приложений, поскольку он допускает широкий спектр применений. По сравнению с односторонними полированными кремниевыми пластинами они тоньше и гибче. Кроме того, их более жесткие допуски TTV, BOW и WARP выше, что позволяет получать полупроводники более высокого качества.
Двухсторонние полированные кремниевые пластины для исследований в лаборатории на чипе Исследование: микрофлюидная платформа для характеристики мембраноактивных противомикробных препаратов
Здесь мы сообщаем о многослойной микрофлюидной платформе , интегрированной в лабораторию на чипе , для количественной оценки мембранолитической эффективности таких антибиотиков. Платформа является биомиметической
скрининговый анализ на основе везикул, который генерирует гигантские однослойные везикулы (GUV) в физиологически релевантных буферах
по требованию. Сотни этих GUV индивидуально обездвижены ниже по течению в физическом
ловушки, соединенные с отдельными входами для перфузии, которые облегчают контролируемую доставку антибиотиков. Антибиотическая эффективность
выражается как функция времени, необходимого для вытекания инкапсулированного красителя из GUV в результате
лечения антибиотиками. Это экспериментальное исследование исследует реакцию на дозу архетипического полипептида.
антибиотик цекропин B на GUV, имитирующих бактериальные мембраны. Результаты исследования дают
основа для разработки количественных, высокопроизводительных микрофлюидных устройств для скрининга антибиотиков.
UniversityWafer, Inc. Предоставлены следующие характеристики пластин:
100 мм P/B (100) 1–10 Ом-см DSP 500 мкм Prime Grade
Ниже приведены вафли CZ, если не указано иное. Пластины SEMI Prime с одной или двумя плоскостями или надрезами. Общее изменение толщины составляет <1 мкм, изгиб <5 мкм, деформация <10 мкм. Все пластины относятся к классу Prime и поставляются в герметичных кассетах из жесткого пластика.
Товар | Тип/Dop | Ори. | Диаметр (мм) | Толщина (мкм) | польский | Рез. Ом·см |
6971 | n-тип Si:P | [100-25° в направлении [110] ±1° | 6 дюймов | 675 | ДСП | 1-100 |
S5594 | П/Б | [100] | 5 дюймов | 990 ±8 | ДСП | 1-25 |
Д868 | П/Б | [100] | 5 дюймов | 590 | ДСП | 1-30 |
Ф709 | n-тип Si:P | [100] | 5 дюймов | 762 ±12 | ДСП | 5-35 |
S6284 | n-тип Si:P | [100] ±1° | 4 дюйма | 200 ±10 | ДСП | ФЗ >1000 |
Г706 | Внутренний Si:- | [100] | 4 дюйма | 500 | ДСП | ФЗ >20 000 |
6356 | Внутренний Si:- | [100] | 4 дюйма | 500 | ДСП | ФЗ >20 000 |
Дж302 | П/Б | [100] | 4 дюйма | 600 | ДСП | 1-50 |
7089 | П/Б | [100] | 4 дюйма | 381 ±7 | ДСП | 0,014-0,021 |
F022 | П/Б | [111] ±0,3° | 4 дюйма | 350 ±5 | ДСП | <0,05 |
6570 | n-тип Si:P | [100] | 4 дюйма | 400 | ДСП | 1-10 |
4975 | n-тип Si:Sb | [211] ±0,5° | 4 дюйма | 1 500 ±15 | ДСП | 0,01-0,02 |
С962 | Внутренний Si:- | [100] | 4 дюйма | 525 | ДСП | ФЗ >20 000 |
Д796 | П/Б | [100] | 4″ | 500 | ДСП | 1-30 |
Л302 | П/Б | [100] | 4 дюйма | 625 | ДСП | 1-50 |
Q787 | П/Б | [111] ±0,5° | 4 дюйма | 350 | ДСП | 0,001-0,005 |
J066 | n-тип Si:P | [100] | 4 дюйма | 500 | ДСП | 1-100 |
4154 | П/Б | [110] ±0,5° | 3 дюйма | 360 | ДСП | 1-10 |
6826 | П/Б | [100] | 3 дюйма | 475 | ДСП | 1-50 |
Д750 | П/Б | [100] | 3 дюйма | 420 | ДСП | <1 |
S5580 | n-тип Si:P | [100] ±1° | 3 дюйма | 2 286 ±13 | ДСП | 15-28 |
S5824 | n-тип Si:P | [100] ±1° | 3 дюйма | 300 ±10 | ДСП | 5-15 |
6400 | n-тип Si:P | [100] | 3 дюйма | 350 | ДСП | 1-25 |
6818 | n-тип Si:P | [100] | 3 дюйма | 381 | ДСП | 1-30 |
Н988 | П/Б | [100] | 3 дюйма | 580 | ДСП | 1-100 |
Процесс двусторонней полированной кремниевой пластины является идеальным решением для производства высококачественных высококонтрастных устройств. Процесс может производить большое количество тонких и очень тонких функций. Процесс может быть автоматизирован и требует минимального вмешательства человека. Система DSP может полировать кремниевые пластины диаметром до 300 мм. Система оснащена сложной системой DSP с обратной связью по толщине. Лазерный зонд помещается на верхнюю пластину и вращается с заданной скоростью, что приводит к планетарному движению, которое полирует поверхность кремниевой пластины.
Двусторонняя полированная кремниевая пластина Исследования включают изготовление пластины с двух противоположных сторон. Этот метод включает формирование и оценку толщины кремниевой пластины с использованием оптической когерентной томографии. Метод, используемый в этой статье, заключается в размещении лазерного зонда на поверхности кремниевой пластины. Затем исследователи использовали обновленную модель B-сплайна, основанную на точках измерения. Модель предсказывает толщину полировочного слоя на другой стороне пластины. В результате остаточные ошибки рассматриваются как случайные ошибки, что снижает вероятность ошибочных измерений.
Точное расположение лазерного зонда на поверхности кремниевой пластины имеет решающее значение для измерения двусторонней полированной кремниевой пластины. Кроме того, система должна поддерживать внешние геттерные свойства кремния. Это делает его высокоэффективным инструментом в производстве полупроводников. Таким образом, технология двустороннего полированного кремния никуда не делась. Этот новый процесс облегчит производителям полупроводников производство высококачественных полупроводников.
В результате, исследование кремниевых пластин с двусторонней полировкой поможет производителям создавать высококачественные и недорогие кремниевые пластины. Помимо удешевления и повышения качества электронных продуктов, эта технология поможет защитить окружающую среду. Производство высококачественных пластин позволит не только повысить производительность, но и сделать электронику более безопасной и экологичной. Это будет отличным вложением для всех участников. Благодаря прогрессу в этой области мы сможем производить полупроводники более высокого качества.
Полированная с двух сторон кремниевая пластина является одним из наиболее важных типов полупроводников. Процесс двусторонней полировки требует как внешних, так и внутренних геттерных возможностей. Следовательно, важно поддерживать эти свойства, чтобы максимизировать производительность устройства. Также необходимо повысить эффективность процесса двусторонней полировки за счет повышения себестоимости производства. Более высокая экономическая эффективность может быть достигнута путем разработки устройства, если оно использует правильные методы.
В процессе двухсторонней полировки кремниевых пластин метод двойной полировки поверхности необходим для того, чтобы полупроводник сохранил свои внешние геттерные свойства. В дополнение к этим функциям также важно оптимизировать процесс самовращающегося шлифования, чтобы увеличить выход и минимизировать время обработки двухсторонней полированной кремниевой пластины. Процесс двусторонней полировки кремниевой пластины известен уже несколько десятилетий.
Изобретение процесса двусторонней полированной кремниевой пластины было впервые описано в литературе Schwandner et al. Помимо презентации конструкции двусторонней полированной кремниевой пластины, они также представили математическую модель влияния различных процессов предварительной полировки на толщину кремниевой пластины. Кроме того, анализируя толщину двусторонней полированной кремниевой сферы, исследователи смогли определить толщину испаряющегося слоя SiO2.
Результаты исследования кремниевых пластин с двусторонней полировкой показывают, что можно производить кремниевые пластины с высоким качеством и низкой стоимостью. Этот процесс поможет производителям производить более доступные и высококачественные электронные продукты. Исследование ICMI также принесет пользу окружающей среде, поскольку оно сократит использование химикатов. Это сохранит окружающую среду и поможет как потребителям, так и предприятиям. Если будет разработан двусторонний полированный кремний, он, скорее всего, будет экологически чистым.
Размер кремниевых пластин, полированных с одной стороны, становится все более важным. Обычно они имеют толщину около 50 микрон. Поскольку они тоньше, необходима полировка обратной стороны для предотвращения коробления. Двухсторонний полированный кремний дороже и требует больше труда, но стоимость намного ниже, чем односторонний полированный кремний. Исследование включает в себя использование уникального процесса, называемого притиркой. У обоих процессов есть несколько преимуществ.
Для чего используется спецификация кремниевой пластины Высокопроизводительная фототермическая микроскопия среднего ИК-диапазона с подавлением фонового шума с помощью Pupil EngineeringФототермическая микроскопия — это метод, позволяющий обнаруживать объекты нанометрового размера исключительно на основе их поглощения. Этот метод особенно полезен для наблюдения за наночастицами золота внутри клеток. Этот метод имеет множество применений в аналитической химии, биовизуализации и спектроскопии. Читайте дальше, чтобы поближе познакомиться с этим процессом. К его преимуществам можно отнести высокую чувствительность и низкую стоимость. Вот некоторые из самых популярных приложений.
Ученые использовали следующие кремниевые пластины DSP от UniversityWafer, Inc. для своих исследований.
Si Артикул № 1115
100 мм P/B (100) 10-20 Ом-см 500 мкм DSP Prime
Цитата из исследовательской статьи
Двухсторонняя полированная кремниевая пластина «A 4» толщиной 500 мкм ( University Wafer ) нарезается кубиками на кусочки размером 10 мм × 20 мм».
Пластины, используемые в материалах, не вызывающих биообрастания, полученных методом радикальной полимеризации с переносом атома, прививкой 2-метакрилолоксиэтилфосфорилхолина: отдельное влияние плотности трансплантата и длины цепи на отталкивание белка ИсследованиеДвухсторонние полированные кремниевые пластины (P-легированные, (100)-ориентированные, удельное сопротивление 10–20 Ом·см, толщина 0,56 мм) были приобретены у University Wafer, Inc.
Купите пластины онлайн!
Что такое привитая полимеризация?В основном привитая полимеризация представляет собой метод превращения макромолекул в полимеры путем объединения мономеров в цепь. Привитой сополимер состоит из цепей с разной молекулярной массой, при этом распределение прививок влияет на его физические свойства. Полимер получают из акрилатных функционализированных мономеров или свободных радикалов. Количество привитых цепей зависит от соотношения молярных концентраций мономера и макромономера.
В процессе «сквозной прививки» низкомолекулярный мономер радикально сополимеризуется с макромономером, полученным другим контролируемым процессом полимеризации. Этот метод позволяет включать различные мономеры в полимеры, в том числе полиэтилен в основу полистирола и полиэтиленоксид в материал на основе стирола.
Часто целью прививки является улучшение других свойств проводящих полимеров помимо переноса заряда. Привитой полимер может иметь улучшенную растворимость, наноразмерную морфологию и биосовместимость. Привитые полимеры также более биосовместимы и способны устанавливать связь с клетками. Все эти преимущества недоступны при использовании обычных полимеров, которые часто можно увидеть в биомедицинских и промышленных секторах.
Электролитную мембрану на пленочной основе готовят в три этапа: сшивка, прививка путем предварительного облучения и сульфирование. В схематическом виде привитая полимеризация имеет кристаллическую область, в которой накапливается долгоживущий радикал. Аморфный домен имеет мономеры, доступные для долгоживущего радикала. Все три из этих шагов происходят на границе раздела двух пленок.
Двойная квантовая точка на основе нанопроволок Ge/Si с интегрированным датчиком заряда
Лосс, Д. и Ди Винченцо, Д. П. Квантовые вычисления с квантовыми точками. Физ. Ред. A 57 , 120–126 (1998).
Артикул КАС Google ученый
Хэнсон Р. , Коувенховен Л.П., Петта Дж.Р., Таруча С. и Вандерсипен Л.М.К. Спин в малоэлектронных квантовых точках. конд-мат/0610433 (2006).
Петта, Дж. Р. и др. Когерентное управление связанными электронными спинами в полупроводниковых квантовых точках. Наука 309 , 2180–2184 (2005).
Артикул КАС Google ученый
Koppens, F.H.L. et al. Управляемые когерентные колебания одиночного спина электрона в квантовой точке. Природа 442 , 766–771 (2006).
Артикул КАС Google ученый
Буркард Г., Лосс Д. и Ди Винченцо Д. П. Связанные квантовые точки как квантовые вентили. Физ. Ред. B 59 , 2070–2078 (1999).
Артикул КАС Google ученый
Хаецкий А.В., Лосс Д., Глазман. L. Декогерентность электронного спина в квантовых точках из-за взаимодействия с ядрами. Физ. Преподобный Летт. 88 , 186802 (2002).
Артикул Google ученый
Лу, В., Сян, Дж., Тимко, Б.П., Ву, Ю. и Либер, К.М. Одномерный дырочный газ в германий/кремниевых нанопроволочных гетероструктурах. Проц. Натл акад. науч. США 102 , 10046–10051 (2005 г.).
Артикул КАС Google ученый
Фаст, К., Фюрер, А., Бьорк, М. Т. и Самуэльсон, Л. Настраиваемые двойные квантовые точки в нанопроволоках InAs, определяемые локальными электродами затвора. Нано Летт. 5 , 1487–1490 (2005).
Артикул КАС Google ученый
Фаст К., Фюрер А., Самуэльсон Л., Головач В. Н. и Лосс Д. Прямое измерение спин-орбитального взаимодействия в двухэлектронной квантовой точке из нанопроволоки InAs. Физ. Преподобный Летт. 98 , 266801 (2007 г.).
Артикул КАС Google ученый
Пфунд А., Шорубалко И., Энслин К. и Летюрк Р. Подавление спиновой релаксации в двойной квантовой точке из нанопроволоки InAs. конд-мат/0701054 (2007).
Тырышкин А.М. и др. Электронная спиновая когерентность в Si. Physica E 35 , 257–267 (2006).
Артикул КАС Google ученый
Кейн, Б. Э. Квантовый компьютер с ядерным спином на основе кремния. Природа 393 , 133–137 (1998).
Артикул КАС Google ученый
Вриен, Р. и др. Транзисторы электронного спинового резонанса для квантовых вычислений в кремний-германиевых гетероструктурах. Физ. Ред. А 62 , 012306 (2000 г. ).
Артикул Google ученый
Фризен, М. и др. Практическое проектирование и моделирование кубитов с квантовыми точками на основе кремния. Физ. B 67 , 121301(R) (2003).
Артикул Google ученый
Траузеттель Б., Булаев Д. В., Лосс Д. и Буркард Г. Спиновые кубиты в графеновых квантовых точках. Природа физ. 3 , 192–196 (2007).
Артикул КАС Google ученый
Биркук, М.Дж., Гарай, С., Мейсон, Н., Чоу, Дж.М. и Маркус, К.М. Квантовые точки, определяемые воротами, на углеродных нанотрубках. Нано Летт. 5 , 1267–1271 (2005).
Артикул КАС Google ученый
Сапмаз С., Мейер С., Беличински П., Харилло-Эрреро П. и Кувенховен Л. П. Спектроскопия возбужденного состояния в двойных квантовых точках углеродных нанотрубок. Нано Летт. 6 , 1350–1355 (2006).
Артикул КАС Google ученый
Gräber, M. R. et al. Молекулярные состояния в двойных квантовых точках углеродных нанотрубок. Физ. B 74 , 075427 (2006).
Артикул Google ученый
Чан, В. К. и др. Ионно-имплантированная двойная точка Si:P с настраиваемой межточечной связью затвора. J. Заявл. физ. 100 , 106104 (2006).
Артикул Google ученый
Чжун, З., Фанг, Ю., Лу, В. и Либер, К. М. Когерентный однократный перенос заряда в кремниевых нанопроволоках молекулярного масштаба. Нано Летт. 5 , 1143–1146 (2005).
Артикул КАС Google ученый
Кляйн Л. Дж., Сэвидж Д.Е. и Эрикссон М.А. Кулоновская блокада и эффект Кондо в малоэлектронной квантовой точке кремний/кремний-германий. заявл. физ. лат. 90 , 033103 (2007).
Артикул Google ученый
Берер, Т. и др. Боковые квантовые точки в Si/SiGe, реализованные с помощью метода с разделенными затворами Шоттки. Заяв. физ. лат. 88 , 162112 (2006 г.).
Артикул Google ученый
Сакр М.Р., Цзян Х.В., Яблонович Э. и Кроук Э.Т. Изготовление и определение характеристик электростатических квантовых точек Si/SiGe со встроенным каналом считывания. заявл. физ. лат. 87 , 223104 (2005).
Артикул Google ученый
Ван дер Виль, В. Г., Де Франчески, С., Эльзерманн, Дж. М., Фудзисава, Т., Таруча, С. и Кувенховен, Л. П. Транспорт электронов через двойные квантовые точки. Ред. Мод. физ. 75 , 1–22 (2003).
Артикул КАС Google ученый
Elzerman, J.M. et al. Малоэлектронная схема на квантовых точках со встроенным считывателем заряда. Физ. B 67 , 161308(R) (2003).
Артикул Google ученый
Biercuk, M.J. et al. Определение заряда в квантовых точках углеродных нанотрубок в микросекундном масштабе. Физ. B 73 , 201402(R) (2006).
Артикул Google ученый
ДиКарло, Л. и др. Дифференциальное определение заряда и делокализация заряда в перестраиваемой двойной квантовой точке. Физ. Преподобный Летт. 92 , 226801 (2004 г.).
Артикул КАС Google ученый
Булаев Д. В., Лосс Д. Спиновая релаксация и декогерентизация дырок в квантовых точках. Физ. Преподобный Летт. 95 , 076805 (2005).
Артикул Google ученый
Heiss, D. et al. Наблюдение чрезвычайно медленной спиновой релаксации в самособирающихся квантовых точках. конд-мат/0705.1466 (2007).
Schäffler, F. Высокомобильные структуры Si и Ge. Полуконд. науч. Технол. 12 , 1515–1549 (1997).
Артикул Google ученый
Ссылка на скачивание
FONCTION SI — UTILISER DES FROMULES IMBRIQUEES ET EVITER LES PIEGES
LA FONCTION SI PEMMETE D’Effectuer Une Ene Ene Ene en on en ren on ren on ren on ren on ren on ren ne un on en ren on ren ne un on en ren on ren ne en ren ren ren on en ren ren ren ren ren on
Une инструкция SI peut donc avoir deux résultats. Le premier résultat est appliqué si la comparaison est verifiee, sinon le deuxième résultat est appliqué.
Bien que les инструкциям SI soient extraordinairement puissantes et учредитель la base de nombreux modeles de feuille de calcul, elles sont également à l’origine de nombreux problèmes de feuille de calcul. Dans l’ideal, une инструкция SI doit s’appliquer à des минимальные условия, Telles que Homme/Femme, Oui/Non/Peut-être, mais il прибытия que vous deviez оценивает сценарии плюс комплексы, необходимые и имбрикация* de plus de 3 функции.
* Le terme «имбрикация» fait référence à la pratique consistant à joindre plusieurs fonctions au sein d’une même formule.
Utilisez la fonction SI, une des fonctions logiques, pour renvoyer une valeur si une condition est vraie et une autre valeur si elle est fausse.
Синтаксис
SI(test_logique; valeur_si_vrai; [valeur_si_faux])
Пример:
Аргумент | Описание |
test_logique (обязательный) | Тестер состояния, который вы считаете нужным. |
valeur_si_vrai (обязательный) | Valeur que vous voulez renvoyer si le résultat de test_logique Эст VRAI. |
valeur_si_faux (факультативно) | Valeur que vous voulez renvoyer si le résultat de test_logique est FAUX. |
Ремарки
Si Excel авторизует максимальное количество 64 различных функций SI, но не имеет отношения к ярмарке. Пуркуа?
- org/ListItem»>
Il peut s’avérer très difficile de gérer desinstructions SI Multiples, en particulier si vous y revenez après undefined temps en essant de comprendre ce que vous, ou pire une autre personne, avez voulu faire précisément.
Инструкции по использованию plusieurs SI nécessite beaucoup de réflexion pour creer celles-ci de façon appropriée et s’assurer que leur logique se calcule Correction, условие après condition. Si vous n’imbriquez pas votre формула со 100 % точностью, il se peut qu’elle foctionne dans 75 % des cas, mais renvoie des résultats inattendus dans les 25 % de cas restants. Malheureusement, les Chanes que vous déceliez ces 25 % d’occurrences sont minces.
Si vous vous retrouvez avec une инструкции SI qui semble croître à l’infini, il est temps de poser votre souris et de repenser votre strategie.
Nous allons voir comment создает исправление и инструкцию SI, комплексную интеграцию плюс функции SI, и quand reconnaître le moment est venu d’opter pour un autre outil de votre arsenal Excel.
Примеры
Voici un instancee d’instruction SI imbriquée relationment standard destinée à convertir un résultat de test d’etudiant en note alphabétique équivalente.
Si le résultat du test (dans la cellule D2) est superieur à 89, l’etudiant reçoit la note A
Si le résultat du test est superieur à 79, l’etudiant reçoit la note B
org/ListItem»>Si le résultat du test est superieur à 59, l’étudiant reçoit la note D
Autrement, l’étudiant reçoit la note F
Si le résultat du test est superieur à 69, l’etudiant reçoit la note C
Cet пример est относительный fiable, car il est peu probable que la corrélation entre les résultats de test et les lettres change, de sorte que la gestion de cette инструкция ne sera pas compliquée. Mais que se passe-t-il si vous avez besoin segmenter les notes entre en A+, A et A-, et ainsi de suite ? Votre инструкция SI quatre условия сделать это être réécrite для оценки 12 условий! Votre formule se présente désormais comme suit :
Elle est toujours fonctionnellement correcte et opère comme prévu, mais il faut beaucoup de temps pour l’écrire et la tester afin de s’assurer qu’elle fait bien ce que vous souhaitez. Un autre problème évident est que vous avez dû entrer les résultats et les примечания корреспондентов manuellement. Quelles sont les Chances Que Vous Fassiez Accelement une faute de frappe ? Imaginez Que Vous Deviez Faire Cela 64 fois Avec des условия плюс комплексы. Возможна ли определенность?
Conseil : Dans Excel, функция шака делает фигуру в скобках (). Excel essaie de vous aider à comprendre l’emplacement des différents éléments de votre формула en les colorant à mesure que vous les modifiez. Par instance, si vous devez modifier la формула ci-dessus, lorsque vous déplacez le curseur au-delà de chacune des скобки fermantes « ) », la скобка ouvrante courante prend la meme couleur. Cela est particulièrement utile dans les Formulas imbriquées complexes, lorsque vous tenez de déterminer si vous avez suffisamment de скобки корреспондентов.
Дополнительные примеры
Voici un instancee très courant de calcul de Commission de ventes basé sur les niveaux de chiffre d’affaires accompli.
Cette formule signifie SI (C9 est superieur à 15 000 repourner 20 %, SI (C9 est superieur à 12 500 repourner 17,5 %, et ainsi de suite…
Bien qu’elle soit très similar à l’example de note précédent, cette formule illustre à quel point il peut être difficile de gérer des инструкциям SI de grande taille. Que devez-vous faire си votre организация décide d’ajouter де nouveaux niveaux де компенсации и др éventuellement де модификатор ле valeurs en евро ou en pourcentages existsantes? Vous avez beaucoup de travail à faire!
Conseil : Vous pouvez insérer des sauts de ligne dans la barre de formule pour faciliter la лекции des formules longues. Appuyez simplement sur ALT+Entrée devant le texte qui doit Figurer sur une nouvelle ligne.
Voici un example du Scénario de calcul de Commission Dont la Logique est désordonnée :
Pouvez-vous voir le problème ? Comparez l’ordre des comparaisons de chiffre d’affaires avec l’example précédent. Dans quel sens celle-ci se trouve-t-elle? C’est точно, elle va de bas en haut (5 000 $ à 15 000 $), et non l’inverse. Pourquoi cela devrait-il être si важный? C’est une bonne selected, car la formule ne permet pas de passer la première évaluation pour une valeur dont la valeur est plus élevée que 5 000 $. Supposons que vous avez un revenu de 12 500 $: l’instruction SI vous rapporte 10 %, car elle est superieure à 5 000 $ et s’arrête là. Cela peut s’avérer très problématique car, dans de nombreuses ситуаций, ces type d’erreurs ne sont pas pris en compte tant qu’ils n’ont pas d’impact négatif. Ainsi, sachant qu’il existse de sérieux pièges avec des инструкции SI imbrmbrées комплексы, que pouvez-vous faire? Dans la plupart des cas, vous pouvez utiliser la fonction RECHERCHEV au вместо creer ип формула комплекс авек ла fonction SI. À l’aide de RECHERCHEV, vous devez d’abord creer une table de référence:
Cette formule indique de rechercher la valeur de C2 dans la plage C5:C17. Si la valeur est trouvée, elle renvoie la valeur correctante de la même ligne dans la colonne D.
De meme, cette formule recherche la valeur figurant dans la cellule B9 de la plage B2:B22. Si la valeur est trouvée, elle renvoie la valeur correctante de la même ligne dans la colonne C.
Ремарк: Ces deux formules RECHERCHEV utilisent l’argument VRAI à la fin, ce qui signifie que nous souhaitons qu’elles recherchent une соответсвие аппроксимативное. En d’autres termes, elles trouvent les valeurshackes dans la table de recherche, ainsi que les valeurs s’incrivant entre les valeurshackes. Dans ce cas, les table de recherche doivent être triées dans l’ordre croissant, soit de la valeur la plus petite à la plus grande.
RechercheV est couverte par des détails bien plus précis ici, mais c’est surement beaucoup plus simple qu’une инструкция SI complexe imbrmbrée à 12 niveaux. Elle Presente également d’autres avantages moins évidents :
- org/ListItem»>
Vous pouvez aisément mettre à jour leurs valeurs sans jamais devoir modifier la формула en cas de модификации условий.
Si vous ne souhaitez pas que des utilisateurs puissent afficher votre table de référence ou interférer avec celle-ci, placez simplement la table dans une autre feuille de calcul.
Справочные таблицы RECHERCHEV sont bien visibles.
Le saviez-vous ?
Существует уникальная функция SI.ENS, которую можно заменить дополнительными инструкциями. SI содержит уникальную функцию. Ainsi, вместо примера первоначальный relatif а-ля преобразование en notes, qui comporte 4 fonctions SI imbriquées :
Nous pouvons simplifier sensiblement la formule en utilisant une seule fonction SI. CONDITIONS comme suit :
Функция SI.CONDITIONS является идеальной, она допускает использование инструкций SI и скобок.
Примечание : Эта функциональная возможность является доступной и уникальной, если вы зарегистрированы на Microsoft 365. Если вы используете Microsoft 365, проверьте, используете ли вы последнюю версию Office.
Добавить или написать Microsoft 365
Vous avez besoin d’une aide supplémentaire ?
Vous pouvez toujours консультант и эксперт по технике общения Excel или получить помощь в ответах на вопросы общения.
Рубрики связи
Видео : Fonctions SI avancées
Fonction SI.MICROSOFT 365, Excel 2016 (улучшенные версии)
La fonction COMPTE.SI compte les valeurs sur la base d’un seul critère.
Функция FONCTION.SI.ENS вычисляет ценности по базовым критериям плюсов.